碳化硅

Nexperia今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管，正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措，旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。

1875年，大清朝18岁的同治帝去世，年仅四岁的载湉登上帝位，年号光绪。也是在这一年，日本明治时代初期著名发明家，擅长制作机关人偶有“东洋的爱迪生”之称的田中久重也在日本东京也创立了一家工业制造所---田中制造所，1904年在此基础上成立芝浦制作所株式会社

UnitedSiC的UJ4C/SC 750V SiC FET系列现在已经拥有13种器件，同时其优异性能的覆盖范围更广了。该系列的首款产品是业内优异的新6mΩ RDS(on) SiC FET，还包含9、11、18、23、33、44和60mΩ规格产品。6mΩ产品具有一个新特征，它的短路耐受时间可靠，额定值为5µs

Nexperia今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管，正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措，旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。

传统上在高压功率晶体的设计中，采用硅材料的功率晶体要达到低通态电阻，必须采用超级结技术（superjunction），利用电荷补偿的方式使磊晶层（Epitaxial layer）内的垂直电场分布均匀，有效减少磊晶层厚度及其造成的通态电阻。

在经过了长达四年的彻底转型，包括剥离掉原先占比三分之二的业务，并重新定位公司的总体核心战略，作为碳化硅（SiC）技术和制造全球领先企业的 Wolfspeed, Inc.正式宣布成立了。公司之前名称是 Cree, Inc.。公司在正式启用新的名称之后，将开展一系列、多渠道、整合市场营销活动。

碳化硅（SiC）是一种宽带隙半导体，其带隙宽度为3.26eV，远高于硅（Si）的带隙宽度（=1.12eV）。SiC具有较高的击穿电场和较高的热导率，这是由于它具有较低的晶格常数（即较短的原子间距离）从而具有较高的原子键。

对于一直在设法提高效率和功率密度并同时维持系统简单性的功率设计师而言，碳化硅（SiC）MOSFET的高开关速度、高额定电压和小RDS(on)使得它们具有十分高的吸引力。本文提供了一个较好的解决方案来优化电磁干扰和效率之间的平衡。

LSIC2SD170Bxx 系列碳化硅肖特基二极管采用TO-247-2L封装，可选择额定电流（10A、25A或50A)。 这些产品为电力电子系统设计人员提供了多种性能优势，包括接近于零的反向恢复电流、高浪涌保护能力和175°C的最大工作结温，因此它们非常适合需要提高效率、可靠性和简化热管理的应用。

在电动机控制等部分应用中，放缓开关期间的dV/dt非常重要。速度过快会导致电动机上出现电压峰值，从而损坏绕组绝缘层，进而缩短电动机寿命。在本应用说明中，来自UnitedSiC研发高级工程师李中达博士比较了三种不同的dV/dt控制方法。