Rutronik提供JAE独特的AX01板对板连接器
该产品系列达到8Gbit/s 的高传输速度，并采用了特别可靠的创新双触点技术。它们特别适用于依赖实时数据传输的干扰敏感应用，可用于包括PLC、CNC、工业 PC、传感器单元和控制器的工业环境，或者用于汽车领域、导航系统、音频和无线电模块。
Power Integrations发布InnoSwitch3-PD参考设计，适用于超紧凑型USB Type C、PD + PPS适配器
这款名为DER-937的充电器参考设计采用了Power Integrations的新型InnoSwitch™3-PD PowiGaN™反激式开关IC和HiperPFS™-4 PFC控制器IC，仅使用了117个元件，可实现具备功率因数校正(PFC)功能的100W USB PD 3.0 + 数字控制电源(PPS)。
【科普小贴士】什么是双极晶体管（BJT）？
双极晶体管有两种类型：NPN型和PNP型。NPN型产品涵盖低耐受电压到高耐受电压产品。耐受电压为400V或以下的PNP型产品，特别是耐受电压为200V或以下的PNP型产品是主流产品。
通过输出MOSFET的寄生二极管进行电流再生时的功耗
本文将谈一谈使用有刷直流电机驱动器IC进行PWM驱动时，通过输出MOSFET的寄生二极管进行电流再生时的功耗。之所以讨论这个话题，是因为再生时的实际功耗可能会大于估算值，在某些情况下可能会引发问题，所以需要注意。
TT Electronics公司为其WHPC系列产品增添了超高功率贴片电阻器
TT Electronics今天宣布推出WHPC0508X、WHPC0612X和WHPC1020X产品，从而为其WHPC系列电阻器增加了超高功率范围的产品选项。这些电阻器是紧凑型电源和运动控制应用领域的理想选择，其具有反向几何形状，焊接端位于长边
Murata开发搭载NXP芯片的超小型UWB通信模块
村田制作所现已开发了搭载NXP支持UWB的芯片——Trimension™ SR150的超小型UWB通信模块“Type 2BP”，以及搭载恩智浦公司的Trimension™ SR040和Bluetooth® LE(2)芯片——QN9090的天线内置小型UWB通信模块“Type 2DK”。
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列，继续扩充宽禁带半导体产品
Nexperia今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管，正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措，旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。
电路噪声原来是这么回事
对于电子线路中所标称的噪声，可以概括地认为，它是对目的信号以外的所有信号的一个总称。最初人们把造成收音机这类音响设备所发出噪声的那些电子信号，称为噪声。但是，一些非目的的电子信号对电子线路造成的后果并非都和声音有关，因而，后来人们逐步扩大了噪声概念。
Vishay推出高力密度、高分辨、小型触控反馈执行器——IHPT-1411AF-AB0
Vishay推出适用于商用触摸屏、操纵杆和触摸开关的新型可定制触控反馈执行器---IHPT-1411AF-AB0。Vishay 定制电磁式IHPT-1411AF-AB0为小型两件式结构，带安装孔，便于安装和直接操作，具有高冲击脉冲和振动能力
这家半导体公司146岁了，竟然领跑了碳中和！！！
1875年，大清朝18岁的同治帝去世，年仅四岁的载湉登上帝位，年号光绪。也是在这一年，日本明治时代初期著名发明家，擅长制作机关人偶有“东洋的爱迪生”之称的田中久重也在日本东京也创立了一家工业制造所---田中制造所，1904年在此基础上成立芝浦制作所株式会社
UnitedSiC推出 750V 6mΩ 碳化硅（SiC） FET和9、11、18、23、33、44和60mΩ规格产品
UnitedSiC的UJ4C/SC 750V SiC FET系列现在已经拥有13种器件，同时其优异性能的覆盖范围更广了。该系列的首款产品是业内优异的新6mΩ RDS(on) SiC FET，还包含9、11、18、23、33、44和60mΩ规格产品。6mΩ产品具有一个新特征，它的短路耐受时间可靠，额定值为5µs
【干货分享】这些“黑话”只有PCB设计制造内行人才懂！
Test Coupon，是用来以 TDR (Time Domain Reflectometer 时域反射计) 来测量所生产的 PCB 的特性阻抗是否满足设计的要求，一般要控制的阻抗有单端线和差分对两种情况，所以 test coupon 上的走线线宽和线距(有差分对时)要与所要控制的线一样
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列
Nexperia今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管，正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措，旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。
想找一款几乎无损的高性能PMIC？这套PPT里有答案～
近年来，5G和IoT市场的快速增长推高了数据中心和网络设备的功率密度极限，在这种情况下，布线及印刷电路板中的铜损已达到不容忽视的水平。为了提高系统效率、降低I2R损耗以合理化功率密度、以及解决母线排和连接器的问题，下一代系统中开始从当前的12V总线系统向48V架构迁移
Vishay 235 EDLC-HVR ENYCAP™ 系列电容器荣获AspenCore全球电子成就奖
Vishay宣布，公司的235 EDLC-HVR ENYCAP™系列电容器荣获2021年度AspenCore全球电子成就奖，被评为年度高性能无源/分立器件。该器件是业内先进的加固型ENYCAP双电层储能电容器，在+85 °C条件下使用寿命达2,000小时，经过85 / 85 1500小时带电测试，具有最高等级耐潮湿能力
消除VCR电阻电压系数影响，你该怎么做？
VCR（电阻电压系数）定义为电阻在特定的电压变化范围内发生的变化。这意味着电阻值在不同电压下的稳定性。你（包括我自己）可能并没有意识到VCR的存在，但每个电阻在加载电压时都存在某种程度的不稳定性。
瑞萨电子推出工业温度级DDR5和DDR4寄存时钟驱动器
瑞萨电子集团今日宣布，推出支持工业温度等级DDR5（5RCD0148H）和DDR4（4RCD0232K）寄存时钟驱动器（RCD），面向要求严苛的边缘计算、汽车、工业4.0和5G等应用。
xMEMS推出适用于TWS和助听器的全球超小型MEMS扬声器Cowell
xMEMS今日推出全球超小型单芯片MEMS扬声器——Cowell。Cowell尺寸仅22mm3、重量仅仅56毫克，采用直径3.4mm的侧发音（side-firing）封装，在1kHz可达到难得的110dB SPL（声压级）。对比电动式及平衡电枢式扬声器，Cowell在1kHz以上提供高达15dB的额外声压增益
重负载时中开关元件工作相关的注意事项
在重负载时，如果MOSFET的体二极管的反向恢复时间trr较长，且有电流残留，则在超前臂的MOSFET关断时，寄生双极晶体管可能会误导通，从而损坏MOSFET。这种问题发生在由关断时产生的对漏源电容CDS的充电电流而使寄生双极晶体管自发地导通（误导通）、瞬间流过大电流时
TI全新超级电容充放电一体化降压/升压转换器，可实现更低静态功耗
德州仪器今天推出了一款新型双向降压/升压转换器，具有60nA的超低静态电流(IQ)，是同类竞品升压转换器IQ的三分之一。TPS61094 降压/升压转换器内部集成了降压型超级电容充电器和升压型DC-DC转换器，同时提供超低静态电流
【科普小贴士】肖特基势垒二极管（SBD）的金属差异
对于SBD而言，半导体由n型层组成，因此金属充当二极管的阳极。同样地，只有电子是载流子，SBD变成了类似MOSFET的单极元件。硅的能级不同于金属（能隙）。