技术

大多数工业接近传感器（包括电感式、电容式、超声波和光电式）都是固态的。

相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可实现更高的效率水平，但有时难以轻易决定这项技术是否更好的选择。本文将阐述需要考虑哪些标准因素。

本文研究并比较了影响因素，包括解耦电容位置、功率FET尺寸和位置以及过孔布置。

在过去的 75 年里，晶体管技术最明显的变化就是我们能制造多少。

可借助多种不同类型的传感器解决伴随自主机器人而来的挑战。下面详细介绍一下其中的两类传感器

本文将针对双向OBC/DCDC这个应用，阐述宇宙辐射的影响以及评估系统可靠性的方法。

本文和大家简单介绍一下滤波器的工艺和参数

本文着重探讨如何通过卓越的设计工艺来提高产品性能或创造速度优势。

本期文章就来追溯一下这一核心元件的起源，了解一下它是如何成为我们日常生活的重要组成部分的。

在“DC-DC转换器的热仿真”系列中，将介绍使用ROHM Solution Simulator对耐压80V、输出5A的DC-DC转换器IC“BD9G500EFJ-LA”组成的电源电路进行电路工作仿真