技术

本篇文章将针对上述HBM设计挑战和传统仿真流程上的问题，提出相应的解决方案

飞跨电容器拓扑是一种多电平拓扑、非常适合且不限于光伏逆变器的升压级应用。顾名思义、这项技术需要电容器作为关键部件。本文描述并比较了适用的 TDK 解决方案。

当铝电解电容在没有施加电压的情况下长时间储存时，泄漏电流会增加并漂移到规格之外

在电源设计中，精心的布局和布线对于能否实现出色设计至关重要，要为尺寸、精度、效率留出足够空间

大多数工业接近传感器（包括电感式、电容式、超声波和光电式）都是固态的。

相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可实现更高的效率水平，但有时难以轻易决定这项技术是否更好的选择。本文将阐述需要考虑哪些标准因素。

本文研究并比较了影响因素，包括解耦电容位置、功率FET尺寸和位置以及过孔布置。

在过去的 75 年里，晶体管技术最明显的变化就是我们能制造多少。

可借助多种不同类型的传感器解决伴随自主机器人而来的挑战。下面详细介绍一下其中的两类传感器

本文将针对双向OBC/DCDC这个应用，阐述宇宙辐射的影响以及评估系统可靠性的方法。