技术

本文主要分析了在SiC MOSFET中比较明显的短沟道效应、Vth滞回效应、短路特性以及体二极管的鲁棒性

在本文中，我们将回顾系统设计人员如何进行汽车应用设计，以及新型 eCall 解决方案如何优化整个平台

本文将探讨氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 的基本原理，展示其在开关模式电源电路中相对于传统硅器件的优势

本文中，我们将专注于前道工序 (FEOL)，并演示在栅极和源极/漏极之间引入空气间隙的SEMulator3D®模型

本文将为您简介USB接口、USB整体的发展历程，并介绍由CUI Devices推出的USB Type C连接器产品线。

随着消费者对电动汽车 (EV) 的需求和诉求持续增强，直流快速充电市场在蓬勃发展，市场对快速充电基础设施的需求也在增加

相信各位工程师在日常的电源设计中，当面对ZVS的场景时，经常会有如下的困惑：比如大名鼎鼎的LLC，工作在死区时，MOSFET 寄生二极管续流

抖动和相位噪声是晶振的非常重要指标，本文主要从抖动和相位噪声定义及原理出发，阐述其在不同场景下对数字系统、高速串行接口、数据转换器和射频系统的影响。

对于电源电压，DDR SDRAM系统要求三个电源，分别为VDDQ、VTT和VREF。

750V SiC FET 拥有全球最低的5.4 (mΩ) 的导通阻抗。非常适用于空间极其有限的应用场景，如从几百瓦到千万瓦的交流 / 直流电源以及高达 100A 的固态继电器和断路器。