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Diodes推出可简化理想二极管仿真作业并提高反向放电保护电路效率的控制器 IC 产品

DZDH0401DW 控制器驱动 P 信道 MOSFET 来仿真理想二极管，在高达 40V 的系统中提供阻断反向电流所需的高侧导轨绝缘。

2022-03-22 |理想二极管,DZDH0401DW

目前，可穿戴智能手表手环产品用户所关心的众多问题中，电池续航问题排在所有问题的首位，功耗是一个系统级的问题。为了更好的满足可穿戴产品超低功耗的需求，微源半导体近期发布了一款专门针对可穿戴设备低功耗应用需求的LDO – LP3991。

2022-03-22 |LP3991,微源半导体,LDO,电源管理

这两款器件均采用超薄的InSOP™-24封装。相较于分立方案设计，这种高集成度的高效架构无需使用散热片，并且可减少高达40%的元件数量。

2022-03-22 |HiperLCS-2,LLC变换器

3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基势垒二极管（SBD）扩大了设计人员对交通、能源和工业系统中的高压电力电子产品的选择范围

2022-03-22 |碳化硅,SiC

近日，安富利发布了一项针对全球工程师的调查，以调查工程师如何应对全球芯片短缺、更长的交货时间以及工程师的设计选款和应用，发生哪些改变。

2022-03-21 |芯片短缺

该系列模块特别适用于恶劣的电气环境如EV充电器，具有OVC III过压等级，可在海拔2000m运行，工作温度范围为-40至+90°C。

2022-03-21 |Recom,AC/DC电源

新型µPOL直流-直流转换器系列可在-40 ℃~125 ℃的宽结温范围内运行，并具有每立方英寸1000 A以上的高电流密度。

2022-03-21 |直流转换器,FS1412,电源模块

关于IGBT／MOSFET预驱动器，相信做电机驱动或者大功率设备驱动的工程师都会有所了解，所谓预驱动器，其实就是将微控制器与IGBT／MOSFET隔离开来，为负载及驱动器提供保护

2022-03-21 |电流驱动器,TLP5231

为了精准聚焦工业测量领域，公司推出高可靠性、低功耗Sigma-Delta ADC CS1238DME芯片，通过可编程增益放大器（PGA），有效分辨率可达20.7位（PGA=128），增益误差8ppm。

2022-03-18 |ADC,CS1238DME

没有比这更真实的词了——这也是我们从一开始就坚持的，推动 Matter 标准前进的方式。汇集大量最聪明、最优秀的人才，以一种我们行业前所未见的方式和动力来构建一些东西。

2022-03-18 |Matter 1.0

对于边缘网络应用，老化、预热时间和功耗等附加参数对整体性能非常重要。SiTime新推出的Elite X的性能优于传统时钟器件，简化了系统设计，能够提供更可靠、一致的性能。

2022-03-18 |SiTime,Elite-X,SiT5501

Teledyne e2v的DDR4s存储容量为4G字节，尺寸仅为15mm x 20mm x 1.92mm，其存储密度远高于竞争对手的解决方案——仅占PCB基板面的一半，体积几乎减少了一个数量级。

2022-03-18 |Teledyne e2v,DDR4

多功能产品组合覆盖 24-40GHz 频段，展示了集成模块、分立波束成形及升降频转换器射频集成电路（RFIC）等技术

2022-03-17 |pSemi,5G毫米波,RFFE

PUC-D2BG系列具有6kVDC隔离电压，以及适用于250VAC工作电压并通过IEC/EN/UL 62368-1安全认证的增强绝缘

2022-03-17 |Flex,DC/DC转换器,栅极驱动电源

AP6320xQ 与 AP6330xQ 装置的额定电流分别为 2A 和 3A，支持从 3.8V 到 32V 宽大的输入电压范围。适用于汽车负载点 (PoL) 产品应用

2022-03-17 |Diodes,降压转换器,AP6320xQ