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村田量产汽车用1005M尺寸4.3µF超大静电容量3端子多层陶瓷电容器

株式会社村田制作所已开发出了汽车用1005M（1.0×0.5mm）尺寸电容器中的4.3µF超大静电容量3端子多层陶瓷电容器“NFM15HC435D0E3”，并且已经开始量产。

2022-02-28 |多层陶瓷电容器,ADAS

索尼的ToF图像传感器将背照式CMOS图像传感器的像素技术，与读取反射光信号、提升精度的索尼独创像素技术相融合，实现了3D ToF摄像头模组的小型化，并且还发挥背照式结构的优点

2022-02-28 |ToF图像传感器

启方半导体为工作电压在8V至150V之间的功率器件提供0.18微米BCD工艺。特别是100V或150V级别的高压功率器件，这些器件适合用来提高智能手机或笔记本电脑中电池充电IC的性能。

2022-02-28 |启方半导体,功率半导体,BCD工艺

该晶体管是GEN11 Macro驱动器系列的载体产品，涵盖所有6GHz以下频段。这种高效的多频段器件覆盖3.3至3.8GHz的频率范围，可实现下一代大功率和具有市场领先效率的宏基站。

2022-02-25 |Ampleon,B11G3338N80D,射频晶体管,Doherty

这款高频装置内建自举式二极管，能够在半桥配置中驱动两个通常用于控制马达及 DC-DC 电力传输的 N 通道 MOSFET。可锁定无线电动工具、电动自行车和自动操作机器人设备等高功率产品应用项目

2022-02-25 |DGD0579U,Diode,栅极驱动器

集成了AS7343传感器的色度计、便携式光谱仪和消费设备将“如虎添翼”，在颜色匹配、照明控制、光谱分析等方面功能更加强大，实现“快、准、稳”的感知与测量。

2022-02-24 |艾迈斯欧司朗,AS7343,光谱传感器

这些器件提供了低偏置下的宽带高线性度特性，从而提高了宽带线性度水平（在5dB时三阶互调低于-32dBc；在2:1带宽上从饱和功率回退8dB时则低于-42dBc）。

2022-02-24 |Ampleon,晶体管

DF2B6M4BSL的总电容仅为0.15pF（最大值），是东芝当前所能提供的最小电容，较东芝的现有产品DF2B6M4ASL降低了大约25%。

2022-02-24 |TVS二极管,ESD,DF2B6M4BSL

我们着眼于超智能社会的到来、就村田制作所的作用以及对实现可持续发展社会的贡献采访了村田制作所代表董事社长中岛规巨。

2022-02-23 |村田

该像素尺寸基于豪威集团的PureCel® Plus-S堆叠技术，同时采用了深光电二极管技术将光电二极管精确地嵌入硅片深处。凭借这些先进的技术，豪威集团开发出了超小像素尺寸，在相同的光学格式下可以实现更高的分辨率

2022-02-23 |图像传感器,豪威集团

该系列以1210的外壳尺寸（1.25 x 1.0 x 0.5 mm）为汽车高速差分传输信号线路提供了噪声控制功能，并将于2022年2月开始量产。

2022-02-23 |TDK,共模滤波器,KCZ1210DH

S-19255系列采用业界超小型HSNT-4(1010)B(1.0x1.0x t0.41mm)封装，有助于提高设计的便利性，可灵活地适应更小的摄像头模块。

2022-02-22 |S-19255,ABLIC,LDO线性稳压器

3款全新ESD保护器件符合AEC-Q101标准以及IEEE 100BASE-T1和1000BASE-T1开放技术联盟标准，专用于保护两条总线线路免受ESD和其他瞬变造成的损坏。

2022-02-22 |Nexperia,ESD保护

贸泽备货Skyworks Solutions SKY68031-11多频段RF IoT前端模块，这款低矮型模块支持LTE-M和NB-IoT收发器平台，输出功率高达+23.5 dBm，经过优化可支持1到6个LTE资源块 (RB)

2022-02-21 |贸泽,SKY68031-11

Vishay Siliconix n 沟道SiHK045N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、服务器和数据中心电源应用提供了高效解决方案，同时实现栅极电荷下降60 %。

2022-02-21 |SiHK045N60E,Vishay