【科普小贴士】MOSFET的性能:电容的特性

×

错误信息

Notice: Undefined index: HTTP_ACCEPT 在 mobile_theme_detect_php()(行 109/mydata/wwwroot/minisites.eetrend.com/web/sites/all/modules/mobile_theme/mobile_theme.module).

Ciss、Crss和Coss的电容特性是影响MOSFET开关特性的重要因素。

Ciss:输入电容(Ciss=Cgd+Cgs

⇒栅极-漏极和栅极-源极电容之和:它影响延迟时间;Ciss越大,延迟时间越长。

Crss:反向转移电容(Crss=Cgd

⇒栅极-漏极电容:Crss越大,漏极电流上升特性越差,这不利于MOSFET的损耗。高速驱动需要低电容。

Coss:输出电容(Coss=Cgd+Cds

⇒栅极-漏极和漏极-源极电容之和:它影响关断特性和轻载时的损耗。如果Coss较大,关断dv/dt减小,这有利于噪声。但轻载时的损耗增加。

MOSFET的电容模型

图3-11(a)MOSFET的电容模型

MOSFET的典型电容特性

图3-11(b)MOSFET的典型电容特性

文章来源:东芝半导体