【科普小贴士】MOSFET的性能:漏极电流和功耗

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允许损耗和漏极电流是MOSFET的典型最大额定值,计算如下。
(有些产品采用了不同的电流表达式。)
通过热阻和结温来计算功耗。漏极电流将采用欧姆定律,由计算得出的功耗和导通电阻进行计算。

PD:功耗

⇒ 器件指定温度条件下允许的功耗

功耗

ID:漏极电流

⇒直流额定值:正向流动的直流电流。(在室温下定义)

漏极电流

IDp:脉冲漏极电流

⇒指定脉宽下的最大漏极电流。一般是直流电流的4倍。

脉冲漏极电流

文章来源:东芝半导体

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