如何最大限度减小电源设计中输出电容的数量和尺寸？
电源输出电容一般是100 nF至100 μF的陶瓷电容，它们耗费资金，占用空间，而且，在遇到交付瓶颈的时候还会难以获得。所以，如何最大限度减小输出电容的数量和尺寸，这个问题反复被提及
功率半导体冷知识：IGBT短路结温和次数
英飞凌IGBT模块开关状态下最高工作结温一般是150度，而IGBT7短时过载情况下的最高工作结温可达175度。那么IGBT模块一辈子都可以生活在这样的舒适区享受人生吗？
运算放大器输出电压反向问题：正确选型，轻松化解！
有时，当超过输入共模电压时，你可能会遇到运算放大器输出问题，这被称为输出反相。当运算放大器的其中一个内部级不再具有足够的偏置电压并因此关闭时，通常会出现这种情况。
【科普小贴士】什么是双极晶体管（BJT）？
双极晶体管有两种类型：NPN型和PNP型。NPN型产品涵盖低耐受电压到高耐受电压产品。耐受电压为400V或以下的PNP型产品，特别是耐受电压为200V或以下的PNP型产品是主流产品。
通过输出MOSFET的寄生二极管进行电流再生时的功耗
本文将谈一谈使用有刷直流电机驱动器IC进行PWM驱动时，通过输出MOSFET的寄生二极管进行电流再生时的功耗。之所以讨论这个话题，是因为再生时的实际功耗可能会大于估算值，在某些情况下可能会引发问题，所以需要注意。
电路噪声原来是这么回事
对于电子线路中所标称的噪声，可以概括地认为，它是对目的信号以外的所有信号的一个总称。最初人们把造成收音机这类音响设备所发出噪声的那些电子信号，称为噪声。但是，一些非目的的电子信号对电子线路造成的后果并非都和声音有关，因而，后来人们逐步扩大了噪声概念。
【干货分享】这些“黑话”只有PCB设计制造内行人才懂！
Test Coupon，是用来以 TDR (Time Domain Reflectometer 时域反射计) 来测量所生产的 PCB 的特性阻抗是否满足设计的要求，一般要控制的阻抗有单端线和差分对两种情况，所以 test coupon 上的走线线宽和线距(有差分对时)要与所要控制的线一样
想找一款几乎无损的高性能PMIC？这套PPT里有答案～
近年来，5G和IoT市场的快速增长推高了数据中心和网络设备的功率密度极限，在这种情况下，布线及印刷电路板中的铜损已达到不容忽视的水平。为了提高系统效率、降低I2R损耗以合理化功率密度、以及解决母线排和连接器的问题，下一代系统中开始从当前的12V总线系统向48V架构迁移
消除VCR电阻电压系数影响，你该怎么做？
VCR（电阻电压系数）定义为电阻在特定的电压变化范围内发生的变化。这意味着电阻值在不同电压下的稳定性。你（包括我自己）可能并没有意识到VCR的存在，但每个电阻在加载电压时都存在某种程度的不稳定性。
重负载时中开关元件工作相关的注意事项
在重负载时，如果MOSFET的体二极管的反向恢复时间trr较长，且有电流残留，则在超前臂的MOSFET关断时，寄生双极晶体管可能会误导通，从而损坏MOSFET。这种问题发生在由关断时产生的对漏源电容CDS的充电电流而使寄生双极晶体管自发地导通（误导通）、瞬间流过大电流时
TI全新超级电容充放电一体化降压/升压转换器，可实现更低静态功耗
德州仪器今天推出了一款新型双向降压/升压转换器，具有60nA的超低静态电流(IQ)，是同类竞品升压转换器IQ的三分之一。TPS61094 降压/升压转换器内部集成了降压型超级电容充电器和升压型DC-DC转换器，同时提供超低静态电流
【科普小贴士】肖特基势垒二极管（SBD）的金属差异
对于SBD而言，半导体由n型层组成，因此金属充当二极管的阳极。同样地，只有电子是载流子，SBD变成了类似MOSFET的单极元件。硅的能级不同于金属（能隙）。
IGBT和模块的标准体系解读
正确理解IGBT和模块的标准体系，对了解产品特性，指导系统设计用足产品特性，符合规范很有帮助，熟悉标准的工程师会在系统设计中更游刃有余。IGBT绝缘栅双极型晶体管是半导体产品，主要需要符合半导体标准，包括产品标准，测试标准及机械和气候试验方法标准等。
IGBT的电流是如何定义的
IGBT的电流是器件基本参数之一，显而易见FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模块。这样的理解对于日常工作交流来说是足够了，但对于一位设计工程师是远远不够的，而且业内充满着误解和流言。
“输入电解”和“输出电解”电容的详细计算
我们一般按照在最低输入电压下，最大输出的情况下，要求电解电容上的纹波电压低于多少个百分点来计算。当然，如果有保持时间的要求，那么需要按照保持时间的要求重新计算，二者之中，取大的值。
什么是DC/DC转换器？
DC/DC转换器是一种将DC（直流）转换为DC（直流）的元件，具体是指利用DC（直流）转换电压的元件。 IC等电子元件各自的工作电压范围不同，因此需要转换为相应的电压。生成电压低于初始电压的转换器被称为"降压转换器"；生成电压高于初始电压的转换器被称为"升压转换器"。
碳化硅功率晶体的设计发展及驱动电压限制
传统上在高压功率晶体的设计中，采用硅材料的功率晶体要达到低通态电阻，必须采用超级结技术（superjunction），利用电荷补偿的方式使磊晶层（Epitaxial layer）内的垂直电场分布均匀，有效减少磊晶层厚度及其造成的通态电阻。
思特威推出面向智能安防应用的4K图像传感器8MP新品——SC830AI
思特威推出基于其全性能升级技术SmartClarity®-2面向智能安防应用的4K图像传感器8MP新品——SC830AI。SC830AI采用BSI像素工艺并搭载思特威PixGain™技术，相较前代产品，满阱电子大幅提升了30%，进而有效增加了日间成像的最大信噪比
Vishay推出工作温度达+105 °C的高力密度、高分辨小型触控反馈执行器
Vishay 定制电磁式IHPT-1411AF-AB0为小型两件式结构，带安装孔，便于安装和直接操作，具有高冲击脉冲和振动能力，可在嘈杂环境下或任何需要产生动作机械响应的场合提供清晰的触觉反馈
TDK推出适合工业应用的坚固耐用型差压变送器
TDK针对工业应用推出带坚固不锈钢外壳的新型差压变送器—— B58622M32系列，扩展了MiniCell®产品组合。新系列元件有五种型号可供选择，测量范围为 0 - 500 mbar 至 0 - 10 bar，补偿温度范围为 -20°C 至 +140°C，尺寸为 57 x 34 x 39 mm（含各种接口）
Rutronik提供JAE独特的AX01板对板连接器
该产品系列达到8Gbit/s 的高传输速度，并采用了特别可靠的创新双触点技术。它们特别适用于依赖实时数据传输的干扰敏感应用，可用于包括PLC、CNC、工业 PC、传感器单元和控制器的工业环境，或者用于汽车领域、导航系统、音频和无线电模块。
Power Integrations发布InnoSwitch3-PD参考设计，适用于超紧凑型USB Type C、PD + PPS适配器
这款名为DER-937的充电器参考设计采用了Power Integrations的新型InnoSwitch™3-PD PowiGaN™反激式开关IC和HiperPFS™-4 PFC控制器IC，仅使用了117个元件，可实现具备功率因数校正(PFC)功能的100W USB PD 3.0 + 数字控制电源(PPS)。
TT Electronics公司为其WHPC系列产品增添了超高功率贴片电阻器
TT Electronics今天宣布推出WHPC0508X、WHPC0612X和WHPC1020X产品，从而为其WHPC系列电阻器增加了超高功率范围的产品选项。这些电阻器是紧凑型电源和运动控制应用领域的理想选择，其具有反向几何形状，焊接端位于长边
Murata开发搭载NXP芯片的超小型UWB通信模块
村田制作所现已开发了搭载NXP支持UWB的芯片——Trimension™ SR150的超小型UWB通信模块“Type 2BP”，以及搭载恩智浦公司的Trimension™ SR040和Bluetooth® LE(2)芯片——QN9090的天线内置小型UWB通信模块“Type 2DK”。
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列，继续扩充宽禁带半导体产品
Nexperia今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管，正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措，旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。
Vishay推出高力密度、高分辨、小型触控反馈执行器——IHPT-1411AF-AB0
Vishay推出适用于商用触摸屏、操纵杆和触摸开关的新型可定制触控反馈执行器---IHPT-1411AF-AB0。Vishay 定制电磁式IHPT-1411AF-AB0为小型两件式结构，带安装孔，便于安装和直接操作，具有高冲击脉冲和振动能力
这家半导体公司146岁了，竟然领跑了碳中和！！！
1875年，大清朝18岁的同治帝去世，年仅四岁的载湉登上帝位，年号光绪。也是在这一年，日本明治时代初期著名发明家，擅长制作机关人偶有“东洋的爱迪生”之称的田中久重也在日本东京也创立了一家工业制造所---田中制造所，1904年在此基础上成立芝浦制作所株式会社