英诺赛科发布60V GaN，为PD3.1提供更多选择
judy-- 周三, 03/20/2024 - 14:54
INN060FQ043A 采用 FCQFN 3mm*4mm 封装，导通电阻 4.3mΩ，在与 40V InnoGaN（INN040FQ043A）封装尺寸及导通电阻保持一致的基础上，将耐压等级提升到60V
英诺赛科
英诺赛科发布100V车规级GaN，持续推进汽车激光雷达市场
judy-- 周四, 12/28/2023 - 17:34
英诺赛科宣布推出100V车规级氮化镓器件INN100W135A-Q，该器件已通过AEC-Q101 认证
英诺赛科推出100V VGaN，支持48V BMS应用
judy-- 周四, 10/12/2023 - 14:03
英诺赛科宣布推出 100V 双向导通器件 INV100FQ030A，可在电池管理系统、双向变换器的高侧负荷开关
英诺赛科推出2.4KW Buck/Boost，应用于48V轻混系统
judy-- 周五, 08/25/2023 - 10:55
针对欧洲杯足彩竞猜 中的48V轻混系统应用，英诺赛科推出了2.4kW 双向buck/boost 参考设计，为48V轻混系统提供先进解决方案。
英诺赛科100V GaN 再添新品，采用FCQFN封装
judy-- 周四, 08/10/2023 - 10:28
英诺赛科推出两款 100V 新品氮化镓功率器件，旨在提高电源功率转换效率，降低系统损耗与成本
英诺赛科多款TO封装GaN强势出货，为电源设计提供丰富选择
judy-- 周三, 07/26/2023 - 14:50
英诺赛科推出多款采用TO252 / TO220 封装的直驱氮化镓芯片，基于先进的8英寸硅基氮化镓技术，耐压从650V升级到700V，并迅速量产出货